Cyberstar高壓光學(xué)浮區(qū)法單晶爐簡(jiǎn)介：

是適用于生長(zhǎng)各種超導(dǎo)材料單晶，介電和磁性材料單晶，氧化物及金屬間化合物單晶等。浮區(qū)法單晶爐中的轉(zhuǎn)動(dòng)以及拉伸等控制部分采用了電子控制，與傳統(tǒng)的齒輪變速箱以及離合器相比，這種技術(shù)能夠使得用戶在單晶生長(zhǎng)過程中獲得更高的控制精度和更高的生長(zhǎng)穩(wěn)定性。同時(shí)，能夠更精準(zhǔn)的控制籽晶和料棒的同步。

高壓光學(xué)浮區(qū)法單晶爐的拉伸與轉(zhuǎn)動(dòng)控制精度擁有技術(shù)（zui慢模式：0.01毫米/小時(shí)），晶體生長(zhǎng)腔可抽真空（10-4 torr），或充入不同氣氛（氧氣，氬氣，等），高壓浮區(qū)法單晶爐可生長(zhǎng)任何類型的單晶(氧化物，氟化物，金屬化合物)，用的100Bar高壓氣氛裝置，用戶還可以生長(zhǎng)多種包含易揮發(fā)元素的晶體。

成功生長(zhǎng)出高質(zhì)量單晶：LaMnO3， La1-xCaxMnO3, La1-xSrxMnO3 ，YNi2B2C， HoNi2B2C ，Sr2RuO4， CaCuTiO， LaSrMnO，LaNiO ，NdNiO， BiSrCaCuO

基本參數(shù)：
1 控制：其精細(xì)控制精度
拉伸：
慢速拉伸：+/-0.01毫米/小時(shí)—100毫米/小時(shí)
快速拉伸：0—100毫米/分鐘
拉伸精度：滿程的千分之
轉(zhuǎn)動(dòng)：
轉(zhuǎn)動(dòng)速度范圍+/-0.1-99.9 轉(zhuǎn)/分鐘（千分可調(diào)）
轉(zhuǎn)動(dòng)精度：滿程的千分之
2 可生長(zhǎng)晶體尺寸
長(zhǎng)度100mm 直徑5mm
3 料棒和籽晶精確電子同步
誤差小于1毫米
4 雙鍍金橢球鏡 經(jīng)過殊化聚焦設(shè)計(jì)
溫度可達(dá)2400度 2×1000W 120V
鹵素?zé)?無需更換燈絲來調(diào)節(jié)功率
5 選件：
10Bar 100Bar 高壓氣氛腔
CCD 相機(jī) 可選

Cyberstar成功生長(zhǎng)出的單晶

Sr2RuO4 single crystal

7cm lengh for 4 to 5mm diameter

References: Magnetic excitations in the normal and superconducting states of Sr2RuO4
Phys. Rev. B 65, 184511 (2002)

用戶：

University of Geneva
Lawrence Berkeley National Laboratory
University of Orsay,
CNRS Grenoble,
University of Tours,
University of Bordeaux
University of PaviaPolan
Academy of Mining and Metallurgy
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