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與其他光伏材料相比,鈣鈦礦太陽能電池在性能的提升方面表現(xiàn)出了驚人的速度。近期,來自德國(guó)柏林科技大學(xué)的Steve Albrecht等研究者在Science正刊中報(bào)道了個(gè)單片鈣鈦礦/硅串聯(lián)太陽能電池,其認(rèn)證的功率轉(zhuǎn)換效率高達(dá)29.15%,預(yù)計(jì)還會(huì)進(jìn)步提高?,F(xiàn)如今,鈣鈦礦太陽能電池生產(chǎn)技術(shù)逐漸趨于成熟,生產(chǎn)設(shè)備也逐漸小型化和便捷化。繼2009年和2012年的早期關(guān)鍵實(shí)驗(yàn)之后,人們對(duì)這些生產(chǎn)設(shè)備的興趣激增,目前正在進(jìn)步化它們的性能,并尋找可行的商業(yè)應(yīng)用路線。本文,我們將帶您看看鈣鈦礦太陽能電池材料的制造過程和相關(guān)技術(shù)。
什么是鈣鈦礦太陽能電池
鈣鈦礦太陽能電池(PSC)顧名思義是由鈣鈦礦材料作為核心部件制備的太陽能電池。鈣鈦礦材料的種類很多,但它們都有ABX3的化學(xué)通式,其中A和B是陽離子,X是陰離子。在鈣鈦礦光伏材料中,B通常是金屬陽離子,X是鹵族元素,A可以是有機(jī)或無機(jī)陽離子。重要的是,這些成分必須以種定的幾何結(jié)構(gòu)排列,A穿插在陽離子BX6八面體的間隙。如下圖所示。
鈣鈦礦太陽能電池材料晶格結(jié)構(gòu)的3D示意圖(中央亮斑為B,紅色為X,藍(lán)色為A)
鈣鈦礦是鈣鈦礦太陽能電池中吸收光的材料,它吸收光子并產(chǎn)生電子-空穴對(duì)。之后,這個(gè)電子-空穴對(duì)會(huì)分離(也可能不會(huì),這是導(dǎo)致太陽能電池效率低下的原因),釋放出電子和正電荷載流子。這些電子(負(fù))和空穴(正)載流子分別被設(shè)備中的其他材料(傳輸層)收集,然后流出,在外部電路中產(chǎn)生電壓。人們嘗試用各種鈣鈦礦材料來制備PSCs,其中常見的是MAPbI3。這種材料由甲基銨正離子嵌入Pb2+離子和碘離子(I-)組成的八面體框架。
鈣鈦礦光伏薄膜材料制備
太陽能電池的制備過程主要分為薄膜的制備和后續(xù)的加工。后續(xù)的加工流程與硅基太陽能電池的后續(xù)加工有些類似,涉及到微納加工與封裝等流程,我們不做詳細(xì)介紹。對(duì)于薄膜的制備技術(shù)目前主要有液體旋涂和真空鍍膜兩類。旋涂技術(shù)由于設(shè)備簡(jiǎn)單,易于快速搭建等點(diǎn)很容易在實(shí)驗(yàn)室實(shí)現(xiàn)。但是其規(guī)模化拓展性較差,器件的重復(fù)性和穩(wěn)定性以及與后續(xù)加工流程的兼容性等方面仍有不足。在真空鍍膜方面目前較為流行的是采用物理氣象沉積(physical vapor deposition—PVD),例如熱蒸發(fā)等方式。
對(duì)于熱蒸發(fā)技術(shù)來說,在真空室中加熱鈣鈦礦前驅(qū)體,使它們向上蒸發(fā)并覆蓋在基片上。通過對(duì)過程的精細(xì)控制,形成所需的鈣鈦礦薄膜。熱蒸發(fā)方法制備出的薄膜不僅性能出色,同時(shí)還能與太陽能電池制造過程中需要的其他過程具備良好的兼容性 (例如,傳輸層和金屬接觸層的沉積也經(jīng)常使用PVD)。
熱蒸發(fā)制備方案概要
以制備鈣鈦礦太陽能電池的常用材料MAI(methylammonium iodide)和PbI(lead iodide)為例,MAI蒸發(fā)溫度約為150℃,而金屬鹵化物PbI需要400℃~500℃。這與常規(guī)的金屬熱蒸發(fā)相比溫度低很多,但對(duì)熱蒸發(fā)源溫度控制的準(zhǔn)確性要求較高。傳統(tǒng)金屬熱蒸發(fā)更注重所能達(dá)到的高溫(可達(dá)~1800℃),如果采用傳統(tǒng)的蒸發(fā)源生長(zhǎng)鈣鈦礦材料很容易導(dǎo)致溫度過沖,制備的薄膜性能不穩(wěn)定,甚至前驅(qū)體會(huì)瞬間揮發(fā)殆盡導(dǎo)致生長(zhǎng)失敗。鈣鈦礦光伏材料除了在較低溫度下生長(zhǎng)之外,沉積速率也是個(gè)重要的控制變量。由于沉積速率并非溫度的直接函數(shù),鈣鈦礦材料在沉積時(shí)需要對(duì)每個(gè)蒸發(fā)源的速率進(jìn)行標(biāo)定與檢測(cè)。通常在熱蒸發(fā)過程中,可以采用晶振探頭來探測(cè)每個(gè)蒸發(fā)源的蒸發(fā)速率。對(duì)于常規(guī)的金屬熱蒸發(fā)過程,材料從蒸發(fā)源沿著直線方向到達(dá)襯底,按照類似于標(biāo)準(zhǔn)分布函數(shù)的規(guī)律在襯底上沉積成薄膜。然而對(duì)于非常易揮發(fā)的材料,例如MAI,蒸發(fā)過程中會(huì)在源上方形成較高的蒸氣壓,這會(huì)導(dǎo)致材料向側(cè)方擴(kuò)散,導(dǎo)致材料在腔體的其他部位形成非必要的沉積。因此,對(duì)于鈣鈦礦光伏材料的沉積過程必須控制得更加精密,否則MAI容易導(dǎo)致其他材料的晶振傳感器被污染。
業(yè)的低溫?zé)嵴舭l(fā)技術(shù)與設(shè)備
英國(guó)Moorfield 公司基于多年的薄膜設(shè)備生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)發(fā)布了低溫蒸發(fā)(LTE)技術(shù)和相關(guān)設(shè)備。這使得科研人員能夠快速建立高性能的鈣鈦礦光伏薄膜沉積系統(tǒng)。Moorfield 公司用于鈣鈦礦太陽能電池制備的設(shè)備包括臺(tái)式nanoPVD - T15A,以及功能增強(qiáng)型的落地式MiniLab系列。這樣的低溫?zé)嵴舭l(fā)系統(tǒng)具有以下幾方面的點(diǎn):
• 低溫蒸發(fā)源與控制器:超低的熱容量,可選擇主動(dòng)水冷方案實(shí)現(xiàn)選定控制和小的溫度過沖;基于傳感器的PID反饋回路使得溫度、功率或沉積速率可控。
• 石英晶振傳感器探頭:水冷式,降低溫度影響。業(yè)設(shè)計(jì)和安裝位置,在生長(zhǎng)高蒸汽壓鈣鈦礦前驅(qū)體時(shí)使信號(hào)“串?dāng)_”小化。
• 真空系統(tǒng):業(yè)真空腔體設(shè)計(jì)和定制,包括可選的耐腐蝕泵組系統(tǒng)和預(yù)抽保護(hù)功能。
• 過程控制:采用進(jìn)的自動(dòng)過程控制器,允許多階段程序設(shè)定操作,每個(gè)階段包含單個(gè)或多個(gè)源蒸發(fā)(即共同蒸發(fā)),反饋回路控制每個(gè)源的速率。
• 多功能配置:允許在個(gè)系統(tǒng)上通過不同的PVD技術(shù)沉積鈣鈦礦和其他PSC涂層。此外,系統(tǒng)可以配備冷卻或加熱樣品臺(tái),用于處理熱敏感基片或在沉積期間/沉積后進(jìn)行熱處理。
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nanoPVD系統(tǒng)中的LTE蒸發(fā)源
手套箱集成式系統(tǒng)
雖然成品PSCs元件可以在大氣條件下使用,但通常有必要在惰性氣氛下進(jìn)行器件封裝制造。因?yàn)樵诤蟮谋Wo(hù)涂層覆蓋之前,濕氣和氧氣會(huì)對(duì)材料性能造成影響。因此,些PSC制備工作通常在惰性氣體(如純氬氣或氮?dú)?的手套箱中進(jìn)行。
基于MiniLab 026和MiniLab 090平臺(tái)的Moorfield LTE系統(tǒng)可以與手套箱集成,允許在惰性氣氛中對(duì)襯底或樣品進(jìn)行加工處理。Moorfield可以提供整套的手套箱集成系統(tǒng)或與客戶選定的手套箱進(jìn)行集成。其中MiniLab 026系統(tǒng)可以與用戶已有的手套箱進(jìn)行現(xiàn)場(chǎng)的集成安裝。
Minilab090系統(tǒng)樣品腔(左),與手套箱集成的系統(tǒng)(右)
總結(jié)
鈣鈦礦材料在太陽能電池方面表現(xiàn)出良好的前景,真空蒸發(fā)鍍膜是種很有前途的制備方法且容易實(shí)現(xiàn)工業(yè)化生產(chǎn)。用于鈣鈦礦薄膜制備的沉積系統(tǒng)需要進(jìn)行化設(shè)計(jì),以提高薄膜材料的品質(zhì)。Moorfield Nanotechnology公司具有雄厚的業(yè)技術(shù)基礎(chǔ)和進(jìn)的設(shè)備解決方案,包括全套LTE蒸發(fā)源、過程控制選件和完整的沉積系統(tǒng)。此外Moorfield Nanotechnology還提供其他多種材料制備的業(yè)設(shè)備,例如磁控濺射、電子束蒸發(fā)、快速制備石墨烯的nanoCVD系統(tǒng)。
臺(tái)式高精度薄膜制備與加工系統(tǒng)新動(dòng)態(tài)
Moorfield 公司在中國(guó)科學(xué)院技術(shù)物理研究所的*設(shè)備安裝成功,本次在技術(shù)物理研究所安裝的是臺(tái)式高性能二維材料等離子軟刻蝕系統(tǒng)—nanoETCH。該系統(tǒng)對(duì)輸出功率的分辨率可達(dá)毫瓦量,對(duì)二維材料可實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)確的的逐層刻蝕,也可實(shí)現(xiàn)二維材料層內(nèi)缺陷制造,此外還可對(duì)石墨基材等進(jìn)行表面處理。該系統(tǒng)目前正處于技術(shù)培訓(xùn)階段,不日將正式交付使用。
中國(guó)科學(xué)院技術(shù)物理研究所安裝的nanoETCH系統(tǒng)
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