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當(dāng)前位置:首頁(yè)產(chǎn)品中心材料制備/樣品合成薄膜、顆粒、膠體等制備Nano PVD系列臺(tái)式高性能多功能PVD薄膜制備系列—nanoPVD

臺(tái)式高性能多功能PVD薄膜制備系列—nanoPVD

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

Moorfield近推出了臺(tái)式高性能多功能PVD薄膜制備系列—nanoPVD,高度集成化的高真空高性能臺(tái)式PVD系統(tǒng)。越、高效的性能適用于眾多薄膜的研究工作。

產(chǎn)品型號(hào):Nano PVD系列
更新時(shí)間:2024-04-18
廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
訪問(wèn)量:3034
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臺(tái)式高性能多功能PVD薄膜制備系列—nanoPVD

 

   基于多年大型薄膜制備系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與研發(fā)所積累的豐富經(jīng)驗(yàn),Moorfield Nanotechnology深入了解了劍橋大學(xué)、諾森比亞大學(xué)、帝國(guó)理工學(xué)院、巴斯大學(xué)、??巳髮W(xué)、倫敦瑪麗大學(xué)等多所著名大學(xué)科研團(tuán)隊(duì)的具體需求,經(jīng)過(guò)不懈努力推出了臺(tái)式高性能多功能PVD薄膜制備系列—nanoPVD產(chǎn)品。該系列產(chǎn)品是為高水平學(xué)術(shù)研究研發(fā)的小型物理氣相沉積設(shè)備。推出之后短短幾年時(shí)間已經(jīng)在歐洲銷(xiāo)售了數(shù)十臺(tái),該系列產(chǎn)品包含了磁控濺射、金屬/機(jī)物熱蒸發(fā)系統(tǒng)。這些設(shè)備雖然體積小巧,但是性能,能夠快速實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量納米薄膜、異質(zhì)結(jié)的制備,通常在大型設(shè)備中才有的共濺射和反應(yīng)濺射功能也可以在該系列產(chǎn)品上實(shí)現(xiàn)。準(zhǔn)確的有機(jī)物沉積系統(tǒng)更是該系列的大色。便捷的操作、智能的控制、高效的制備效率讓您的學(xué)術(shù)研究進(jìn)入快車(chē)道。

設(shè)備型號(hào)

臺(tái)式高質(zhì)量多功能薄膜磁控濺射系統(tǒng) - nanoPVD S10A

    nanoPVD S10A是Moorfield Nanotechnology傾力打造的款高度集成化智能化的臺(tái)式磁控濺射系統(tǒng)。該系統(tǒng)雖然體積小巧,但是功能出色、配置齊全。該型號(hào)的推出是為了解決傳統(tǒng)臺(tái)式設(shè)備功能簡(jiǎn)單不能滿(mǎn)足前沿學(xué)術(shù)研究的問(wèn)題。劍橋大學(xué)、諾森比亞大學(xué)、帝國(guó)理工學(xué)院等用戶(hù)都對(duì)這款臺(tái)式設(shè)備給予了很高的評(píng)價(jià)。

    nanoPVD S10A多可安裝3個(gè)水冷式濺射源,可實(shí)現(xiàn)高功率持續(xù)運(yùn)行,靶材尺寸與大型系統(tǒng)樣是行業(yè)通用尺寸。系統(tǒng)可以實(shí)現(xiàn)兩源共濺射方案,可以實(shí)現(xiàn)反應(yīng)濺射方案,多可同時(shí)控制3路氣體。系統(tǒng)具有分子泵,可快速達(dá)到5*10-7mbar高真空。腔體取放樣品非常方便,樣品臺(tái)大尺寸4英寸,系統(tǒng)有智能化的觸屏控制系統(tǒng),采用完備的安全設(shè)計(jì)方案。

    nanoPVD S10A可用于制備高質(zhì)量的金屬薄膜、半導(dǎo)體薄膜、介電、緣材料薄膜以及復(fù)合薄膜、多層異質(zhì)結(jié)等。

主要點(diǎn):

◎  水冷式濺射源,通用2英寸設(shè)計(jì)

◎  MFC流量計(jì)高精度控制過(guò)程氣體

◎  DC/RF濺射電源可選

◎  全自動(dòng)觸摸屏控制方案

◎  可設(shè)定、儲(chǔ)存多個(gè)濺射程序

◎  大4英寸基片

◎  本底真空<5*10-7mbar

◎  系統(tǒng)維護(hù)簡(jiǎn)單

◎  完備的安全性設(shè)計(jì)

◎  兼容超凈間

◎  性能穩(wěn)定

選件:

◎  機(jī)械泵類(lèi)型可選

◎  樣品腔快速充氣

◎  自動(dòng)高精度壓力控制

◎  添加過(guò)程氣體

◎  500℃襯底加熱

◎  襯底旋轉(zhuǎn),Z向調(diào)節(jié)

◎  三源濺射系統(tǒng)

◎  共濺射方案

◎  DC/RF濺射電源可選

◎  濺射電源自動(dòng)切換系統(tǒng)

◎  晶振膜厚測(cè)量系統(tǒng)

典型配置方案:

金屬沉積:2個(gè)濺射靶,配DC電源與電源切換系統(tǒng),襯底Z向調(diào)節(jié)與擋板系統(tǒng),晶振膜厚測(cè)量系統(tǒng)。

緣材料沉積:2個(gè)濺射靶,配RF電源與電源切換系統(tǒng),襯底加熱與氧氣通入氣路,襯底Z向調(diào)節(jié)與擋板系統(tǒng),晶振膜厚測(cè)量系統(tǒng)。

反應(yīng)/共濺射:三個(gè)濺射靶,配備DC/RF電源與自由切換系統(tǒng),三路過(guò)程氣體(Ar、O2、N2)用于沉積氧化物或氮化物。

 

 

 

臺(tái)式超大面積高質(zhì)量薄膜磁控濺射系統(tǒng) - nanoPVD S10A-WA

    Moorfield Nanotechnology根據(jù)客戶(hù)超大樣品的需求推出了nanoPVD-S10A-WA超大面積高質(zhì)量薄膜磁控濺射系統(tǒng)。該型號(hào)是nanoPVD-S10A的拓展型號(hào),用于制備超大尺寸的樣品,大樣品可達(dá)8英寸。

    該系統(tǒng)基于nanoPVD-S10A的成熟設(shè)計(jì)和性能,在相同腔體的設(shè)計(jì)基礎(chǔ)上對(duì)nanoPVD-S10A進(jìn)行了調(diào)整,使濺射源正對(duì)襯底。結(jié)合襯底旋轉(zhuǎn),即使在生長(zhǎng)8英寸的超大樣品時(shí)也可獲得很高的樣品均勻度。與nanoPVD-S10A樣,濺射源采用水冷式設(shè)計(jì),可以持續(xù)高功率運(yùn)行,可實(shí)現(xiàn)共濺射等功能。nanoPVD-S10-WA是款接受半定制化的設(shè)備,如有殊需求請(qǐng)聯(lián)系我們進(jìn)行詳細(xì)討論。

主要點(diǎn):

◎  可制備8英寸超大樣品

◎  水冷式2英寸標(biāo)準(zhǔn)濺射源

◎  MFC流量計(jì)高精度控制過(guò)程氣體

◎  直流/交流濺射電源可選

◎  全自動(dòng)觸屏控制

◎  可設(shè)定、存儲(chǔ)多個(gè)生長(zhǎng)程序

◎  本底真空<5×10-7mbar

◎  易于維護(hù)

◎  全面安全性設(shè)計(jì)

◎  兼容超凈間

◎  系統(tǒng)性能穩(wěn)定

 

選件:

◎  機(jī)械泵類(lèi)型可選

◎  腔體快速充氣

◎  自動(dòng)高分辨壓力控制

◎  增加過(guò)程氣體

◎  升至雙濺射源

◎  DC/RF電源可選

◎  濺射電源切換

◎  共濺射方案

◎  晶振膜厚測(cè)量系統(tǒng)

臺(tái)式高質(zhì)量金屬\有機(jī)物熱蒸發(fā)系統(tǒng) - nanoPVD T15A

    nanoPVD T15A是Moorfield Nanotechnology推出的 nanoPVD系列中的型號(hào),高腔體設(shè)計(jì)方案為熱蒸發(fā)而設(shè)計(jì),確保薄膜均勻度,大可生長(zhǎng)4英寸的薄膜樣品。近年時(shí)間在英國(guó)安裝就有十幾套,劍橋大學(xué)、巴斯大學(xué)、??巳髮W(xué)、倫敦瑪麗大學(xué)等都是該設(shè)備的用戶(hù)。

    系統(tǒng)可以配備低溫蒸發(fā)(LTE)和標(biāo)準(zhǔn)電阻蒸發(fā)源,分別用于沉積有機(jī)物和金屬薄膜。低熱容有機(jī)物蒸發(fā)源具有高精度的控制電源,可以準(zhǔn)確的控制蒸發(fā)條件制備高質(zhì)量的有機(jī)物薄膜。金屬源采用盒式屏蔽模式,可以有效的減少交叉污染等問(wèn)題。智能的控制系統(tǒng)和靈活的配置方案使PVD-T15A非常適合應(yīng)用于材料研究域。

    nanoPVD T15A可用于制備高質(zhì)量的金屬、有機(jī)物薄膜和異質(zhì)結(jié)等材料??蓱?yīng)用于傳統(tǒng)材料科學(xué)和新型的OLED(有機(jī)發(fā)光二管)、OPV(有機(jī)光伏材料)和 OFET(有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)管)域。

主要點(diǎn):

◎  可選金屬、有機(jī)物蒸發(fā)源

◎  高縱橫比的腔體,增加樣品均勻性

◎  全自動(dòng)觸屏控制系統(tǒng)

◎  可設(shè)定、儲(chǔ)存多個(gè)蒸發(fā)程序

◎  大4” 基片

◎  本底真空<5*10-7mbar

◎  維護(hù)簡(jiǎn)單

◎  完備的安全性設(shè)計(jì)

◎  性能穩(wěn)定

 

選件:

◎  機(jī)械泵類(lèi)型可選

◎  樣品腔快速充氣

◎  自動(dòng)高精度壓力控制

◎  多4個(gè)有機(jī)蒸發(fā)源

◎  多2個(gè)金屬蒸發(fā)源

◎  500℃襯底加熱

◎  襯底旋轉(zhuǎn),Z向調(diào)節(jié)

◎  晶振測(cè)量系統(tǒng)

 

典型配置指標(biāo):

金屬沉積:雙金屬源與擋板和晶振系統(tǒng)

有機(jī)物沉積:四個(gè)低溫蒸發(fā)源與擋板和晶振系統(tǒng)。

金屬/有機(jī)物沉積:兩個(gè)金屬源,兩個(gè)有機(jī)源與擋板和晶振系統(tǒng)。

 

 

發(fā)表文章

A high speed PE-ALD ZnO Schottky diode rectifier with low interface-state density

Jin, J., et al. Journal of Physics D: Applied Physics 2018 DOI: 10.1086/1361-6463/aaa4a2

作者報(bào)道了用用氧化鋅和PtOx肖基接觸界面制備高速肖基二管整流器的方法。為此,作者使用PE-ALD沉積ZnO,使用Moorfield nanoPVD-S10A系統(tǒng)通過(guò)射頻濺射制備金屬層和PtOx接觸層,包括反應(yīng)濺射模式(通過(guò)含氧氣氛沉積Pt)。所制備的器件具有適用于噪聲敏感和高頻電子器件的性能。

 

用戶(hù)單位

劍橋大學(xué)

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帝國(guó)理工學(xué)院

??巳髮W(xué)

巴斯大學(xué)

諾森比亞大學(xué)

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倫敦瑪麗大學(xué)

 

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