粉末材料因?yàn)檩^高的比表面積和表面缺陷的限制，存在易團(tuán)聚，壽命短等缺陷，制約了其應(yīng)用的發(fā)展。為了克服這些缺陷，采用粉體表面改性的方式可極大程度的提升。傳統(tǒng)的液相包覆或氣相包覆手段都無法實(shí)現(xiàn)均勻以及厚度的精密控制，限制了包覆技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展。原子層沉積技術(shù)（ALD）是一種自限制性的化學(xué)氣相沉積手段，通過將目標(biāo)反應(yīng)拆解為若干個(gè)半反應(yīng)，實(shí)現(xiàn)表面涂層的原子層級厚度控制（0.1-100nm）。

　　利用該技術(shù)制備的涂層具有：共形，無針孔，均勻的特點(diǎn)，而利用原子層沉積方法在粉末表面構(gòu)筑涂層的方式被稱為——粉末/顆粒原子層沉積（PALD）。使用該法可以制備金屬單質(zhì)，金屬氧化物，氮化物，硫化物，磷酸鹽，多元化合物以及有機(jī)聚合物等涂層。

　　與同質(zhì)量或體積的平面樣品相比，粉末材料的比表面積會(huì)高出幾個(gè)數(shù)量級。而想要實(shí)現(xiàn)粉末表面的全覆蓋，ALD反應(yīng)的時(shí)間會(huì)更長，單周期反應(yīng)時(shí)間會(huì)從分鐘到小時(shí)不等。更長的反應(yīng)時(shí)間決定了更大量的前驅(qū)體消耗（單周期多次加藥）以及對反應(yīng)物及產(chǎn)物的在線監(jiān)測。而平面ALD設(shè)備的腔室盡可能設(shè)計(jì)的小，同時(shí)由于半導(dǎo)體ALD工藝較快的反應(yīng)周期，一般會(huì)選擇測試鍍層厚度或質(zhì)量的變化，而不會(huì)監(jiān)測反應(yīng)物和產(chǎn)物的變化，但這并不適用于粉末樣品。粉末ALD設(shè)備會(huì)考慮到大批量單次加藥的需求，并利用在線質(zhì)譜實(shí)時(shí)監(jiān)測反應(yīng)過程中前驅(qū)體以及產(chǎn)物的變化，從而判斷涂層生長的狀況。