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微納光刻好助手!小型臺(tái)式無(wú)掩膜直寫(xiě)光刻系統(tǒng)

更新時(shí)間:2023-05-29點(diǎn)擊次數(shù):931

隨著國(guó)內(nèi)各學(xué)科的發(fā)展和產(chǎn)業(yè)的升級(jí),相關(guān)的科研院所和企事業(yè)單位對(duì)各種微納器件光刻加工的需求日益增多。然而,這些微納器件光刻需求很難被傳統(tǒng)的掩模光刻設(shè)備所滿(mǎn)足,主要是因?yàn)閾碛羞@類(lèi)的光刻需求的用戶(hù)不僅需要制備出當(dāng)前的樣品,還需要對(duì)光刻結(jié)構(gòu)進(jìn)行夠迅速迭代和優(yōu)化。


為了滿(mǎn)足微納器件對(duì)光刻的需求,Quantum Design中國(guó)推出了小型臺(tái)式無(wú)掩膜直寫(xiě)光刻系統(tǒng)MicroWriter ML3作為微納器件光刻的解決方案。與傳統(tǒng)的掩模光刻相比,MicroWriter ML3根據(jù)用戶(hù)計(jì)算機(jī)中設(shè)計(jì)的圖形在光刻膠上制備出相應(yīng)的結(jié)構(gòu),節(jié)省了制備光刻板所需要的時(shí)間和經(jīng)費(fèi),可以實(shí)現(xiàn)用戶(hù)對(duì)光刻結(jié)構(gòu)快速迭代的需求。此外,MicroWriter ML3 可用于各類(lèi)正性和負(fù)性光刻膠的曝光,最高光刻精度可達(dá)0.4 μm,套刻精度±0.5 μm,最高曝光速度可達(dá)180mm2/min。目前,MicroWriter ML3在國(guó)內(nèi)的擁有量超過(guò)150臺(tái),被用于各類(lèi)微納器件的光刻加工。

 

人工智能領(lǐng)域器件制備


人工智能相關(guān)的運(yùn)算通常需要進(jìn)行大量的連續(xù)矩陣計(jì)算。從芯片的角度來(lái)說(shuō),連續(xù)矩陣運(yùn)算主要需求芯片具有良好的乘積累加運(yùn)算(MAC)的能力。可以說(shuō),MAC運(yùn)算能力決定了芯片在AI運(yùn)算時(shí)的表現(xiàn)。高效MAC運(yùn)算可以由內(nèi)存內(nèi)運(yùn)算技術(shù)直接實(shí)現(xiàn)。然而,基于的馮諾依曼計(jì)算架構(gòu)的芯片在內(nèi)存和邏輯運(yùn)算之間存在著瓶頸,限制了內(nèi)存內(nèi)的高速M(fèi)AC運(yùn)算。理想的AI芯片構(gòu)架不僅要有高效的內(nèi)存內(nèi)運(yùn)算能力,還需要具有非易失性,多比特存儲(chǔ),可反復(fù)擦寫(xiě)和易于讀寫(xiě)等特點(diǎn)。


復(fù)旦大學(xué)包文中教授課題組利用小型臺(tái)式無(wú)掩膜直寫(xiě)光刻系統(tǒng)MicroWriter ML3制備出基于單層MoS2晶體管的兩晶體管一電容(2T-1C)單元構(gòu)架[1]。經(jīng)過(guò)實(shí)驗(yàn)證明,該構(gòu)架十分適用于AI計(jì)算。在該構(gòu)架中,存儲(chǔ)單元是一個(gè)類(lèi)似1T-1C的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM),其繼承了DRAM讀寫(xiě)速度快和耐反復(fù)擦寫(xiě)的優(yōu)點(diǎn)。此外,MoS2晶體管極低的漏電流使得多層級(jí)電壓在電容中有更長(zhǎng)的存留時(shí)間。單個(gè)MoS2的電學(xué)特性還允許利用電容中的電壓對(duì)漏電壓進(jìn)行倍增,然后進(jìn)行模擬計(jì)算。乘積累加結(jié)果可以通過(guò)匯合多個(gè)2T-1C單元的電流實(shí)現(xiàn)。實(shí)驗(yàn)結(jié)果證明,基于此構(gòu)架的芯片所訓(xùn)練的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)識(shí)別手寫(xiě)數(shù)字可達(dá)到90.3%。展示出2T-1C單元構(gòu)架在未來(lái)AI計(jì)算領(lǐng)域的潛力。相關(guān)工作發(fā)表在《Nature Communication》(IF=17.694)。

 

圖1. 兩晶體管一電容(2T-1C)單元構(gòu)架和使用晶圓尺寸的MoS2所制備的集成電路。

(a)使用化學(xué)氣相沉積法(CVD)批量制備的晶圓尺寸的MoS2。

(b)CVD合成的MoS2在不同位置的Raman光譜。

(c)在2英寸晶圓上使用MicroWriter ML3制備的24個(gè)MoS2晶體管的傳輸特性。

(d)MicroWriter ML3制備的2T-1C單元顯微照片。圖中比例尺為100 μm。

(e)2T-1C單元電路示意圖,包括儲(chǔ)存和計(jì)算模塊。

(f)2T-1C單元的三維示意圖,其中包括兩個(gè)MoS2晶體管和一個(gè)電容組件。

(g)2T-1C單元陣列的電路圖。

(h)典型卷積運(yùn)算矩陣。

 

生物微流控領(lǐng)域器件制備


釀酒酵母菌是一種具有高工業(yè)附加值的菌種,其在真核和人類(lèi)細(xì)胞研究等領(lǐng)域也有著非常重要的作用。釀酒酵母菌由于自身所在的細(xì)胞周期不同,遺傳特性不同或是所處的環(huán)境不同可展現(xiàn)出球形單體,有芽雙體或形成團(tuán)簇等多種形貌。因此獲得具有高純度單一形貌的釀酒酵母菌無(wú)論是對(duì)生物學(xué)基礎(chǔ)性研究還是對(duì)應(yīng)用領(lǐng)域均有著非常重要的意義。


澳大利亞麥考瑞大學(xué)Ming Li課題組利用小型臺(tái)式無(wú)掩膜直寫(xiě)光刻系統(tǒng)MicroWriter ML3制備了一系列矩形微流控通道[2]。在制備的微流控通道中,通過(guò)粘彈性流體和牛頓流體的共同作用對(duì)不同形貌的釀酒酵母菌進(jìn)行了有效的分類(lèi)和收集。借助MicroWirter ML3中所采用的無(wú)掩模技術(shù),課題組可以輕易實(shí)現(xiàn)對(duì)微流控傳輸通道長(zhǎng)度的調(diào)節(jié),優(yōu)化出對(duì)不同形貌酵母菌進(jìn)行分類(lèi)的最佳參數(shù)。相關(guān)工作結(jié)果在SCI期刊《Analytical Chemistry》(IF=8.08)上發(fā)表。



圖2.在MicroWriter ML3制備的微流控通道中利用粘彈性流體對(duì)不同形貌的釀酒酵母菌進(jìn)行微流控連續(xù)篩選。


 

圖3.在MicroWriter ML3制備的微流控流道中對(duì)不同形貌的釀酒酵母菌的分類(lèi)和收集效果。

(a)為收集不同形貌釀酒酵母菌所設(shè)計(jì)的七個(gè)出口。

(b)不同形貌酵母菌在通過(guò)MicroWriter ML3制備的流道后與入口處的對(duì)比。

(c)MicroWriter ML3制備的微流控連續(xù)篩選器件對(duì)不同形貌的酵母菌的篩選效果。從不同出口處的收集結(jié)果可以看出,單體主要在O1出口,形成團(tuán)簇的菌主要O4出口。

(d)MicroWriter ML3制備的微流控器件對(duì)不同形貌的釀酒酵母菌的分類(lèi)結(jié)果,單體(藍(lán)色),有芽雙體(黃色)和形成團(tuán)簇(紫色)。

(e)和(f)不同出口對(duì)不同形貌的釀酒酵母菌的分離和收集結(jié)果的柱狀圖。誤差棒代表著三次實(shí)驗(yàn)的誤差結(jié)果。

 

醫(yī)學(xué)檢測(cè)領(lǐng)域器件制備


在新冠疫情大流行的背景下,從大量人群中快速篩查出受感染個(gè)體對(duì)于流行病學(xué)研究有著十分重要的意義。目前,新*病毒診斷采用的普遍標(biāo)準(zhǔn)主要是基于分析逆轉(zhuǎn)錄聚合酶鏈反應(yīng),可是在檢測(cè)中核酸提取和擴(kuò)增程序耗時(shí)較長(zhǎng),很難滿(mǎn)足對(duì)廣泛人群進(jìn)行篩查的要求。


復(fù)旦大學(xué)魏大程教授課題組利用小型臺(tái)式無(wú)掩膜直寫(xiě)光刻系統(tǒng)MicroWriter ML3制備出基于石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管(g-FET)的生物傳感器[3]。該傳感器上擁有Y形DNA雙探針(Y-雙探針),可用于*冠病毒的核酸檢測(cè)分析。該傳感器中的雙探針設(shè)計(jì),可以同時(shí)靶向SARS-CoV-2核酸的ORF1ab和N基因,從而實(shí)現(xiàn)更高的識(shí)別率和更低的檢出極限(0.03份μL?1)。這一檢出極限比現(xiàn)有的核酸分析低1-2個(gè)數(shù)量級(jí)。該傳感器最快的核酸檢測(cè)速度約為1分鐘,并實(shí)現(xiàn)了直接的五合一混合測(cè)試。由于快速、超靈敏、易于操作的特點(diǎn)以及混合檢測(cè)的能力,這一傳感器在大范圍內(nèi)篩查新*病毒和其他流行病感染者方面具有巨大的前景。該工作發(fā)表在《Journal of the American Chemical Society》(IF=16.383)。


 

圖4. 利用MicroWriter ML3制備基于g-FET的Y形雙探針生物傳感器。

(a)Y形雙探針生物傳感器進(jìn)行SARS-CoV-2核酸檢測(cè)的流程圖。

(b)選定的病毒序列和探針在檢測(cè)SARS-CoV-2時(shí)所靶向的核酸。ORF1ab: 非結(jié)構(gòu)多蛋白基因; S: 棘突糖蛋白基因; E: 包膜蛋白基因; M: 膜蛋白基因; N: 核衣殼蛋白基因。圖中數(shù)字表示SARS-CoV-2 NC_045512在GenBank中基因組的位置。

(c)經(jīng)過(guò)MicroWriter ML3光刻制備的生物傳感器的封裝結(jié)果。圖中的比例尺為1 cm。

(d)通過(guò)MicroWriter ML3制備的石墨烯通道的光學(xué)照片。

(e)在石墨烯上的Cy3共軛Y型雙探針。圖中的比例尺為250 μm。

 

二維材料場(chǎng)效應(yīng)管器件制備


石墨烯的發(fā)現(xiàn)為人類(lèi)打開(kāi)了二維材料的大門(mén),經(jīng)歷十多年的研究,二維材料表現(xiàn)出的各種優(yōu)良性能依然吸引著人們。然而,在工業(yè)上大規(guī)模應(yīng)用二維材料仍然存在著很多問(wèn)題,所制成的器件不能符合工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。


近日,復(fù)旦大學(xué)包文中教授課題組通過(guò)利用機(jī)器學(xué)習(xí) (ML) 算法來(lái)評(píng)估影響工藝的關(guān)鍵工藝參數(shù)MoS2頂柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 的電氣特性[4]。晶圓尺寸的器件制備的優(yōu)化是利用先利用機(jī)器學(xué)習(xí)指導(dǎo)制造過(guò)程,然后使用小型臺(tái)式無(wú)掩膜直寫(xiě)光刻系統(tǒng)MicroWriter ML3進(jìn)行制備,最終優(yōu)化了遷移率、閾值電壓和亞閾值擺幅等性能。相關(guān)工作結(jié)果發(fā)表在《Nature Communication》(IF=17.694)。



圖5. MoS2 FETs的邏輯電路圖。

(a),(b),(c)和(d)各類(lèi)電壓對(duì)器件的影響。

(e)使用小型臺(tái)式無(wú)掩膜直寫(xiě)光刻系統(tǒng)MicroWriter ML3制備的正反器和(f)相應(yīng)實(shí)驗(yàn)結(jié)果

(g)使用小型臺(tái)式無(wú)掩膜直寫(xiě)光刻系統(tǒng)MicroWriter ML3制備的加法器和(h)相應(yīng)的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。


圖6. 利用MoS2 FETs制備的模擬,儲(chǔ)存器和光電電路。

(a)使用MicroWriter ML3無(wú)掩膜光刻機(jī)制備的環(huán)形振蕩器和(b)相應(yīng)的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。

(c)通過(guò)MicroWriter ML3制備的基于MoS2 FETs制備的存儲(chǔ)陣列和(d-f)相應(yīng)的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。

(g)利用MicroWriter ML3制備的光電電路和(h-i)相應(yīng)的表現(xiàn)結(jié)果。


圖7. 使用小型臺(tái)式無(wú)掩膜直寫(xiě)光刻系統(tǒng)MicroWriter ML3在晶圓上制備MoS2場(chǎng)效應(yīng)管。

(a)MicroWriter ML3在兩寸晶圓上制備的基于MoS2場(chǎng)效應(yīng)管的加法器。

(b),(c)和(d)在晶圓上制備加法器的運(yùn)算結(jié)果。

 

鈣鈦礦材料柔性器件制備


質(zhì)子束流的探測(cè)在光學(xué)基礎(chǔ)物理實(shí)驗(yàn)和用于癌癥治療的強(qiáng)子療法等領(lǐng)域是十分重要的一項(xiàng)技術(shù)。傳統(tǒng)硅材料制備的場(chǎng)效應(yīng)管裝置由于價(jià)格昂貴很難被大規(guī)模用于質(zhì)子束流的探測(cè)。塑料閃爍體和閃爍纖維也可以被用于質(zhì)子束流的探測(cè)??墒腔谏鲜霾牧系脑O(shè)備需要復(fù)雜的同步和校正過(guò)程,因此也很難被大規(guī)模推廣應(yīng)用。在最近十年間科學(xué)家把目光投向了新材料,為了找出一種同時(shí)具有出色的力學(xué)性能和造價(jià)低廉的材料,用以大規(guī)模制質(zhì)子束流探測(cè)設(shè)備。鈣鈦礦材料近來(lái)被認(rèn)為是制備質(zhì)子束流探測(cè)器的理想材料。首先,鈣鈦礦材料可以通過(guò)低溫沉積的方法制備到柔性基底上。第二,該材料的制造成本相對(duì)較低。鈣鈦礦材料已被用于探測(cè)高能光子,阿爾法粒子,快中子和熱中子等領(lǐng)域。對(duì)于利用鈣鈦礦材料制備的探測(cè)器探測(cè)質(zhì)子束的領(lǐng)域尚屬空白。


近日,意大利博洛尼亞大學(xué)Ilaria Fratelli教授課題組利用小型臺(tái)式無(wú)掩膜直寫(xiě)光刻系統(tǒng)MicroWriter ML3制備出用于質(zhì)子束探測(cè)的3D-2D混合鈣鈦礦柔性薄膜檢測(cè)器[5]。在5MeV質(zhì)子的條件下,探測(cè)器的探測(cè)束流范圍為從4.5 × 105 到 1.4 × 109 H+ cm?2 s?1,可連續(xù)檢測(cè)的輻射最高敏感度為290nCGy?1mm?3,檢測(cè)下限為72 μGy s?1。該工作結(jié)果發(fā)表在學(xué)術(shù)期刊《Advanced Science》(IF=17.521)。


圖8. MicroWriter ML3在PET柔性基板上制備的3D-2D鈣鈦礦薄膜器件。

(A)MAPbBr3 (3D) 和(PEA)2PbBr4 (2D)鈣鈦礦材料的結(jié)構(gòu)示意圖。

(B)通過(guò)MicroWriter ML3無(wú)掩模激光直寫(xiě)機(jī)制備出的檢測(cè)器,圖中標(biāo)尺長(zhǎng)度為500 μm。

(c)3D-2D混合鈣鈦礦材料的低掠射角XRD結(jié)果。

(d)3D-2D混合鈣鈦礦材料的AFM表面形貌圖。



圖9. 3D-2D鈣鈦礦材料的電學(xué)和光電學(xué)方面的性能。

(A)由MicroWriter ML3無(wú)掩模光刻機(jī)制備柔性器件。

(B)通過(guò)MicroWriter ML3制備的柔性器件在不同彎曲程度條件下的電流-電壓曲線圖。

(C)3D-2D鈣鈦礦材料柔性器件的PL光譜結(jié)果。

(D)3D-2D鈣鈦礦材料柔性器件的紫外-可見(jiàn)光光譜。


參考文獻(xiàn)

[1] Y. Wang, et al. An in-memory computing architecture based on two-dimensional semiconductors for multiply-accumulate operations. Nature Communications, 12, 3347 (2021).

[2] P. Liu, et al. Separation and Enrichment of Yeast Saccharomyces cerevisiae by Shape Using Viscoelastic Microfluidics. Analytical Chemistry, 2021, 93, 3, 1586–1595.

[3] D. Kong, et al. Direct SARS-CoV-2 Nucleic Acid Detection by Y-Shaped DNA Dual-Probe Transistor Assay. Journal of the American Chemical Society, 2021, 143, 41, 17004.

[4] X. Chen, et al. Wafer-scale functional circuits based on two dimensional semiconductors with fabrication optimized by machine learning. Nature Communications, 12, 5953 (2021).

[5] L. Basirico, et al. Mixed 3D–2D Perovskite Flexible Films for the Direct Detection of 5 MeV Protons. Advanced Science, 2023,10, 2204815.

 

小型臺(tái)式無(wú)掩膜直寫(xiě)光刻系統(tǒng)MicroWriter ML3簡(jiǎn)介


小型臺(tái)式無(wú)掩膜直寫(xiě)光刻系統(tǒng)MicroWriter ML3由英國(guó)劍橋大學(xué)卡文迪許實(shí)驗(yàn)室主任/英國(guó)皇*科學(xué)院院士Cowburn教授根據(jù)其研究工作的需要而專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)的科研及研發(fā)生產(chǎn)光刻利器。

 

圖10. a)小型臺(tái)式無(wú)掩膜直寫(xiě)光刻系統(tǒng)MicroWriter ML3。MicroWriter ML3 b)在正膠上制備線寬為400 nm的結(jié)構(gòu),c)正膠上制備的電極結(jié)構(gòu),d)在SU8負(fù)膠上制備的高深寬比結(jié)構(gòu)和e)灰度微結(jié)構(gòu)。

 

MicroWriter ML3的優(yōu)勢(shì):

? 實(shí)驗(yàn)成本低:相比于傳統(tǒng)光刻機(jī),該光刻系統(tǒng)無(wú)需掩膜板,同時(shí)它也可以用來(lái)加工掩膜板,年均可節(jié)省成本數(shù)萬(wàn)元;

? 實(shí)驗(yàn)效率高:通過(guò)在計(jì)算機(jī)上設(shè)計(jì)圖案就可輕松實(shí)現(xiàn)不同的微納結(jié)構(gòu)或器件的加工,同時(shí)具有多基片自動(dòng)順序加工功能;

? 光刻精度高:系統(tǒng)具有多組不同分辨率的激光加工模塊(0.4 μm,0.6 μm, 1 μm,2 μm,  5 μm),且均可通過(guò)軟件自由切換;

? 加工速度快:最高可實(shí)現(xiàn)180 mm2/min的快速加工;

? 具有3D加工能力:256級(jí)灰度,可實(shí)現(xiàn)Z方向的不同深淺的加工;

? 適用范圍廣:可根據(jù)光刻需求的不同,配備365 nm,385 nm和405 nm波長(zhǎng)光源或安裝不同波長(zhǎng)雙光源;

? 使用成本低:設(shè)備的采購(gòu),使用和維護(hù)成本低于常規(guī)的光刻系統(tǒng)。



相關(guān)產(chǎn)品

1、小型臺(tái)式無(wú)掩膜直寫(xiě)光刻系統(tǒng)- MicroWriter ML3:https://www.chem17.com/st166724/product_16839518.html


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