新一代LVEM 25E低電壓電子顯微鏡

具有能量色散光譜（EDS）功能

All In One:

具有TEM, STEM, SEM, EDS和ED 模式

操作簡單

換樣快捷，換樣僅需2 min

無需冷卻水

無需專業(yè)實(shí)驗(yàn)室

維護(hù)成本超低

新一代低電壓電子顯微鏡LVEM 25E

LVEM 25E

近期，Delong公司研發(fā)推出了新一代LVEM 25E低電壓電子顯微鏡，該設(shè)備配備了TEM、STEM、SEM、EDS和ED五種成像和分析模式，將材料表征研究推向新的高度。超快的樣品切換和增強(qiáng)的自動(dòng)化功能使LVEM 25E成為常規(guī)成像應(yīng)用中實(shí)用且易用的工具。LVEM 25E能從標(biāo)準(zhǔn)制備的樣品中獲得對比度好、細(xì)節(jié)豐富的圖像，并能在減少染色的情況下獲得同等細(xì)節(jié)水平的圖像。

LVEM 25E不僅可以測量內(nèi)部和外部結(jié)構(gòu)，還可以分析樣品的化學(xué)成分，所有這些功能均在一臺(tái)設(shè)備上完成。先進(jìn)的軟件設(shè)計(jì)，可自動(dòng)設(shè)置鏡筒對中光闌位置來協(xié)助用戶分析樣品。

一臺(tái)儀器有五種成像模式

? 配備TEM、STEM、SEM、EDS和ED模式

? 通過直觀的軟件輕松切換成像模式

? TEM和STEM模式下的明場和暗場測量

? SEM模式（BSE）用于表面測量

? 能量色散光譜（EDS）用于元素分析

? 電子衍射（ED）用于了解晶體結(jié)構(gòu)

*集成和緊湊的設(shè)計(jì)

? 設(shè)計(jì)緊湊、節(jié)省空間

? 幾乎可以在任何實(shí)驗(yàn)室環(huán)境中進(jìn)行單插頭安裝

? 沒有特殊的設(shè)施要求（不需要冷卻、電源或防震隔離）。

對標(biāo)準(zhǔn)樣品的高對比度和分辨率

? 對生物和輕型材料樣品具有超好的對比度

? 無需染色

? 圖像分辨率高達(dá) 1.0 nm

? 專為傳統(tǒng)制備的樣品設(shè)計(jì)

? 超快的樣品切換

	一體化設(shè)計(jì)--緊湊、輕便 *獨(dú)立的設(shè)計(jì)使安裝地點(diǎn)的選擇沒有限制，真正實(shí)現(xiàn)了電子顯微鏡的輕松搬遷。
	無特殊設(shè)施--安裝無憂 LVEM 25E可以輕松地安裝在大多數(shù)實(shí)驗(yàn)室，而不需要對電氣或管道進(jìn)行特殊考慮。只需將其插入一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的電源插座即能投入使用。
	永磁透鏡 - 無需冷卻 獨(dú)·特的LVEM平臺(tái)采用了永磁透鏡，使設(shè)備緊湊、堅(jiān)固、易于使用，同時(shí)不需要任何冷卻。
	快速且容易的真空恢復(fù) - 自動(dòng)軟烘烤和噴槍調(diào)節(jié) 如果出現(xiàn)真空損失，LVEM 25E可減少停機(jī)時(shí)間。具有自動(dòng)軟烘烤和噴槍調(diào)節(jié)功能，恢復(fù)真空的速度很快，而且不需要去維修。
	直接光束測量--低劑量定量 該功能可使用戶測量樣品的輻照度。
	自動(dòng)對準(zhǔn)，兩級放大 -優(yōu)異的成像條件 通過軟件自動(dòng)調(diào)整和控制LVEM 25E的鏡筒對中光闌位置，操作者不需要手動(dòng)校正。這意味著LVEM 25E總是準(zhǔn)備好以優(yōu)異的性能進(jìn)行成像，并允許在不同的模式之間快速、輕松地切換。
	快速的樣品切換 - 高通量成像 真空系統(tǒng)采用一個(gè)集成的、免維護(hù)的渦輪分子泵，結(jié)合無振動(dòng)的離子泵設(shè)計(jì)而成，可以實(shí)現(xiàn)超快的樣品切換，產(chǎn)生一個(gè)超高真空的成像環(huán)境，免受污染。
	場發(fā)射電子槍 – 超高的對比度 25kV的肖特基型場發(fā)射電子槍·具有非常高的亮度和空間一致性，允許發(fā)射的電子和樣品之間有很強(qiáng)的相互作用。這也是LVEM 25E具有獨(dú)·特的高對比度的原因。

測試數(shù)據(jù)展示：

LVEM 25E配備了TEM、STEM、SEM、ED和ED模式，為用戶提供了獨(dú)·特的選擇。用戶可通過LVEM軟件在各種成像模式之間輕松切換，從一個(gè)樣品中獲得多種數(shù)據(jù)結(jié)果。

TEM	STEM	Dark Feild
25 kV TEM模式下提供了高幀率成像，以實(shí)現(xiàn)良好對比的尺寸、形狀和結(jié)構(gòu)測量。	在較低的加速電壓下，10 kV和15 kV STEM模式的成像提供了更高的對比度，并允許分析更厚的樣品。	TEM和STEM暗場模式（HAADF）都能使樣品在具有挑戰(zhàn)性的背景、晶面、位錯(cuò)、DNA等方面更容易成像。
SEM	ED	EDS
SEM模式（BSE）提供對樣品表面的分析，以了解表面形狀和紋理。	電子衍射可以對晶體材料進(jìn)行結(jié)構(gòu)表征。	EDS模式允許分析樣品的化學(xué)成分，并創(chuàng)建元素成分圖，可與STEM和SEM數(shù)據(jù)疊加。