技術(shù)文章
TECHNICAL ARTICLES有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(organic field—effecttransistors)作為新代電子元器件,自1986年問世以來,引起了學(xué)術(shù)界和工業(yè)界的廣泛關(guān)注。與傳統(tǒng)的無機(jī)半導(dǎo)體材料相比,有機(jī)半導(dǎo)體具有材料來源廣,制備工藝簡(jiǎn)單,可與柔性襯底兼容等點(diǎn),在眾多域具有廣泛的應(yīng)用。有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)管性能的調(diào)解可以采用兩種不同的手段:、通過化學(xué)修飾來調(diào)解分子聚集態(tài)結(jié)構(gòu)與界面電荷陷阱;二、提高載流子注入電的效率,通常方法為采用鈣、鎂等低功函數(shù)材料或采用復(fù)合電,減小接觸電阻。
Science China Chemistryzui近發(fā)表的篇文章,報(bào)道了種基于C60單晶的新型有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)管。通過PFN+Br-中間層的引入,大大地減小了電與半導(dǎo)體層的接觸電阻,提高了載流子注入電的效率。其電子遷移率高達(dá)5.60cm2V-S-,閾值電壓能夠低至4.90V,性能遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于沒有PFN+Br-中間層的器件。
圖1. C60帶狀晶體的形貌與晶體結(jié)構(gòu)圖:(a)C60晶體光學(xué)成像圖;
(b)C60晶體的AFM形貌圖;(c)C60晶體的TEM成像圖;(d)C60晶體的SAED圖
本研究采用美國(guó)Delong公司生產(chǎn)的超小型低電壓透射電鏡—LVEM5來表征C60的單晶帶結(jié)構(gòu)(如圖1c所示),其主機(jī)采用Schottky場(chǎng)發(fā)射電子槍,能夠提供高亮度高相干的電子束,并可直接放置于實(shí)驗(yàn)室的桌面上。
在輸出曲線中可以看出,IDS與VDS具有良好線性,表現(xiàn)出良好飽和性。(如圖2所示)
圖2. 場(chǎng)效應(yīng)管的性能表征:C60單晶不涂覆(a-c)/涂覆(d-f)共軛聚電;
(a,d)轉(zhuǎn)移曲線圖;(b,e)45個(gè)器件電荷遷移率柱狀圖;(c,f)輸出曲線圖
LVEM5加速電壓只有5KV,但可以實(shí)現(xiàn)1.5 nm的分辨率,納米結(jié)構(gòu)可以獲得高質(zhì)量的電鏡照片,且直接保存Tiff格式,無需轉(zhuǎn)碼。無需液氮,無需人操作管理,操作維護(hù)簡(jiǎn)單快捷,是實(shí)驗(yàn)室的理想選擇。
* 展會(huì)快訊:
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* 參考文獻(xiàn):
Enhanced performance of field-effect transistors based on C60 single crystals with conjugated polyelectrolyte. Sci China Chem. April (2017) Vol.60 No.4.
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